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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

誠(chéng)峰智造的等離子體發(fā)生器設(shè)備在LeD封裝中的應(yīng)用

誠(chéng)峰智造的等離子體發(fā)生器設(shè)備在LeD封裝中的應(yīng)用:
       LeD封裝工序可以直接干擾LeD產(chǎn)品的合格率,其中99%是由支架引起的封裝技術(shù)問(wèn)題,晶片和襯底污染物質(zhì)、氧化物、環(huán)氧樹(shù)脂等污物的去除,一直是人們關(guān)心的問(wèn)題,近年來(lái),等離子清洗法作為一種新型清潔技術(shù),為這類問(wèn)題提供了一種經(jīng)濟(jì)有效、無(wú)污染的解決方案。對(duì)于不同的污物,根據(jù)基片和片材的不同,采用不同的清洗工序可獲得理想的效果,但不正確的工序使用也有可能導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢,如銀材的芯片采用氧等離子化技術(shù),會(huì)氧化變黑甚至報(bào)廢。因而在LeD封裝中,挑選適度的等離子清洗工序極為關(guān)鍵,而熟悉等離子清洗原理則更為關(guān)鍵。一般說(shuō)來(lái),微粒污物和氧化物采用5%H2+95%Ar混合氣體進(jìn)行誠(chéng)峰智造的等離子體發(fā)生器設(shè)備清洗,鍍金材料晶片可利用氧等離子體除去有機(jī)物質(zhì),而銀材料芯片不能。在LeD封裝中挑選合適的等離子清洗工序大致可分為以下3個(gè)層面:

1、點(diǎn)uv膠前:在底板上的污物會(huì)使uv膠呈球形,不利于芯片粘貼,并且容易在手刺芯片時(shí)導(dǎo)致?lián)p壞,采用等離子體發(fā)生器清洗,可顯著改善工件表面粗糙度和親水性,有益于uv膠平整和貼片,還能夠大幅度的地節(jié)約膠水用量,降低成本。
2、引線連接前:芯片貼于襯底后經(jīng)高溫固化,其上所存在的污物可能含有微粒及氧化物等。這些污物在物理、化學(xué)作用下,使導(dǎo)線與芯片、襯底之間焊接不完整或粘著不良,導(dǎo)致連接強(qiáng)度不足。引線連接之前進(jìn)行等離子體發(fā)生器清洗,可顯著改善其表面活性,進(jìn)而提高粘接強(qiáng)度和鍵合引線的拉伸均勻性。膠接刀片的的壓力可以較為低(有污物,鍵合頭要穿透污物,需要更大的的壓力),有時(shí),粘合溫度也可以降低,進(jìn)而提高產(chǎn)量,降低成本。
3、LeD封膠前:在LeD注塑過(guò)程中,污物會(huì)導(dǎo)致氣泡的發(fā)泡率較高,進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品品質(zhì)和使用期限低,因而,防止膠封中氣泡的形成同樣是人們關(guān)心的問(wèn)題。等離子體發(fā)生器清洗后,晶片與基片更緊密地結(jié)合在一起,大大減少了氣泡的形成,同時(shí)也顯著地增加了散熱率,增加了光的發(fā)熱量。

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