crf電漿清洗機(jī)刻蝕PTFE粗糙度效果好：
        crf電漿清洗機(jī)運(yùn)行的功率并不是大就好，在較低功率下，處理的薄膜剪切強(qiáng)度隨之功率的增加而增加，達(dá)到峰值后強(qiáng)度逐漸下降。感應(yīng)耦合等離子體蝕刻方式(ICPE)是化學(xué)過程和物理過程的綜合結(jié)果。它的基本原理是：在低壓下，由ICP射頻電源向環(huán)形耦合線圈輸出，通過耦合輝光放電，混合刻蝕氣體通過耦合輝光放電，形成高密度的等離子體，在下電極RF作用下，在基片表面躍遷，基片圖形區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體形成揮發(fā)性物質(zhì)，將氣體從基片中分離出來，抽離真空管。

       同樣條件下，O2等離子體處理比N2氣等離子體處理效果更好。如果需要進(jìn)行蝕刻，以及蝕刻后需要清除污垢，浮渣，表面處理，等離子聚合，等離子灰化或任何其他蝕刻應(yīng)用，我們可以按照客戶的要求，生產(chǎn)出安全可靠的等離子蝕刻機(jī)工藝。我公司兼具傳統(tǒng)的等離子型蝕刻系統(tǒng)和反應(yīng)型離子型蝕刻系統(tǒng)，可以生產(chǎn)系列產(chǎn)品，也可以為客戶定制專用系統(tǒng)。我們可以提供快速/高質(zhì)量蝕刻，提供所需的均勻度。
       隨之處理時間的延長，薄膜表面接觸角減小，但在一定時間內(nèi)，接觸角幾乎沒有變化。等離子體處理可用于各種基底，復(fù)雜的幾何構(gòu)形也可進(jìn)行活化，清洗和鍍膜等。plasma處理的熱負(fù)荷和機(jī)械負(fù)荷較低，因此，低壓等離子也能處理敏感材料。
        以上結(jié)果說明，利用crf電漿清洗機(jī)表面處理PTFE粘性較好，需要不斷地調(diào)整各處理參數(shù)以獲得良好的處理工藝，crf電漿清洗機(jī)操作簡單，可設(shè)定多個實(shí)驗(yàn)參數(shù)，同時也可儲存多種工藝參數(shù)，這對探尋工藝參數(shù)很有幫助。
crf電漿清洗機(jī)蝕刻機(jī)工藝的典型應(yīng)用是：半導(dǎo)體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅(ZnSe)；鋁；鉻；鉑；鉬；鈮；銦；鎢；銦錫氧化物；銦鈦酸鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。