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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

支持材料 測(cè)試、提供設(shè)備 試機(jī)

20年專注等離子清洗機(jī)研發(fā)生產(chǎn)廠家

crf等離子表面處理儀作用下O2氧化CH4反應(yīng)機(jī)理制取C2烴反應(yīng)

crf等離子表面處理儀作用下O2氧化CH4反應(yīng)機(jī)理制取C2烴反應(yīng)：
      crf等離子表面處理儀引發(fā)的自由基反應(yīng)與非均相催化反應(yīng)非常相似，但plasma等離子體是相當(dāng)行之有效的官能團(tuán)引起形式。對(duì)于CO2氧化CH4一步制取C目前對(duì)2烴反應(yīng)機(jī)理的看法比較一致：CO分解反應(yīng)在等離子體的作用下產(chǎn)生CO和激發(fā)態(tài).在甲烷氧化偶聯(lián)反應(yīng)中，亞穩(wěn)態(tài)活性氧物種非?；钴S。依據(jù)反應(yīng)，官能團(tuán)是C2H6.C2H4.C2H2.CO和H2、可能的反應(yīng)機(jī)制如下：
(1)生成氧物種
CO2+e→CO+0-
CO2+e→CO+0+e
(2)生成甲基官能團(tuán)
CH4+0-→CH3?+0H-
CH4+O→CH3?+OH
(3)生成C2烴
CH3+CH3→C2H6
C2H6+e→C2H5+H+e
C2H6+O→C2H5+OH
2C2H5→C2H4+C2H6
C2H5+CH3→C2H4+CH4
(4)生成CO
CHX+O→HCHO+H
HCHO+O→OH+CHO
CHO+O→OH+CO

等離子表面處理儀

      crf等離子表面處理儀作為一種行之有效的官能團(tuán)引起手段已成功的用于CO2氧化CH4一步制取C2烴反應(yīng)，取得了比化學(xué)催化法更好的試驗(yàn)效果。但C2烴產(chǎn)物選擇性較低，反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，因此有必要對(duì)等離子體作用下CO2氧化CH4一步制取C2烴反應(yīng)進(jìn)行深入研究。

       采用發(fā)射光譜方法，在紫外-可見波段可有效地檢測(cè)到crf等離子表面處理儀中許多種類的激發(fā)態(tài)物種，不對(duì)等離子體反應(yīng)體系產(chǎn)生干擾，可實(shí)現(xiàn)原位分析。因而近年來(lái)，有關(guān)發(fā)射光譜原位診斷技術(shù)用于crf等離子表面處理儀的研究報(bào)道不斷增多，但主要集中于對(duì)等離子體條件下CH4-H2制金剛石薄膜沉積體系的研究。采用發(fā)射光譜法原位診斷技術(shù)分析crf等離子表面處理儀條件下CO2氧化CH反應(yīng)體系不同CO2加入量時(shí)CH4反應(yīng)活性物種。

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